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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RFN10B3STL |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 350V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 350V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | CPD |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 150°C (Max) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RFN10B3STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD | 0 | Einzelheiten | |
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RFN10BM3SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE CORRE | - | 168612 | Einzelheiten |
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RFN10BM3STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 350V 10A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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RFN10BM6SFHTL | Rohm Semiconductor | SUPER FAST RECOVERY DIODE AEC-Q | - | 126459 | Einzelheiten |
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RFN10NS6SFHTL | Rohm Semiconductor | FAST RECOVERY DIODES CORRESPOND | - | 112007 | Einzelheiten |
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RFN10NS6STL | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS | 0 | Einzelheiten | |
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RFN10T2D | Rohm Semiconductor | DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN | 479 | Einzelheiten | |
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RFN10TF6S | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM | 0 | Einzelheiten | |
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RFN10TF6SFHC9 | Rohm Semiconductor | ROHMS FAST RECOVERY DIODES ARE | - | 43616 | Einzelheiten |
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RFN1L6STE25 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS | 1500 | Einzelheiten | |
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RFN1L7STE25 | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS | 10500 | Einzelheiten | |
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RFN1LAM6STFTR | Rohm Semiconductor | RFN1LAM6STF IS THE HIGH RELIABIL | - | 537941 | Einzelheiten |