RFN10B3STL

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
RFN10B3STL P1
RFN10B3STL P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Rohm Semiconductor ~ RFN10B3STL

Một phần số
RFN10B3STL
nhà chế tạo
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
RFN10B3STL.pdf RFN10B3STL PDF online browsing
gia đình
Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số RFN10B3STL
Trạng thái phần Obsolete
Loại Diode Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) 350V
Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) 10A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If 1.5V @ 10A
Tốc độ Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) 30ns
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr 10µA @ 350V
Điện dung @ Vr, F -
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói Thiết bị Nhà cung cấp CPD
Nhiệt độ hoạt động - Junction 150°C (Max)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm