RFN10TF6S

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
RFN10TF6S P1
RFN10TF6S P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ RFN10TF6S

Artikelnummer
RFN10TF6S
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RFN10TF6S.pdf RFN10TF6S PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Artikelnummer RFN10TF6S
Teilstatus Not For New Designs
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 10A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-2
Lieferantengerätepaket TO-220NFM
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)

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