RFN10NS6STL

DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
RFN10NS6STL P1
RFN10NS6STL P1
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Rohm Semiconductor ~ RFN10NS6STL

Número de pieza
RFN10NS6STL
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza RFN10NS6STL
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 10A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.55V @ 10A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor LPDS
Temperatura de funcionamiento - unión 150°C (Max)

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