IXDI602SI

2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
IXDI602SI P1
IXDI602SI P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDI602SI

Número de pieza
IXDI602SI
Fabricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descripción
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
PMIC - controladores de compuerta
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Número de pieza IXDI602SI
Estado de la pieza Active
Configuración Impulsada Low-Side
Tipo de canal Independent
Cantidad de controladores 2
Tipo de puerta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje 4.5 V ~ 35 V
Voltaje lógico - VIL, VIH 0.8V, 3V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) 2A, 2A
Tipo de entrada Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) -
Tiempo de subida / bajada (Tipo) 7.5ns, 6.5ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC-EP

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