IXDI602SI

2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
IXDI602SI P1
IXDI602SI P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDI602SI

Numéro d'article
IXDI602SI
Fabricant
IXYS Integrated Circuits Division
La description
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article IXDI602SI
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 35 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC-EP

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