IXDI602SI

2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
IXDI602SI P1
IXDI602SI P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ IXDI602SI

Artikelnummer
IXDI602SI
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Produktparameter

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Artikelnummer IXDI602SI
Teilstatus Active
Angetriebene Konfiguration Low-Side
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 35 V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 2A, 2A
Eingabetyp Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) -
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP

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