DB105G

DIODE BRIDGE 600V 1A DB
DB105G P1
DB105G P1
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GeneSiC Semiconductor ~ DB105G

Número de pieza
DB105G
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
DIODE BRIDGE 600V 1A DB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DB105G.pdf DB105G PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores de puente
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Número de pieza DB105G
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Single Phase
Tecnología Standard
Voltaje - Pico Inverso (Máx) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.1V @ 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Paquete de dispositivo del proveedor DB

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