DB105G

DIODE BRIDGE 600V 1A DB
DB105G P1
DB105G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ DB105G

Artikelnummer
DB105G
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE BRIDGE 600V 1A DB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Brückengleichrichter
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Produktparameter

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Artikelnummer DB105G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Single Phase
Technologie Standard
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 600V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Lieferantengerätepaket DB

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