DB105G

DIODE BRIDGE 600V 1A DB
DB105G P1
DB105G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

GeneSiC Semiconductor ~ DB105G

Parça numarası
DB105G
Üretici firma
GeneSiC Semiconductor
Açıklama
DIODE BRIDGE 600V 1A DB
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
DB105G.pdf DB105G PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Köprü Doğrultucular
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası DB105G
Parça Durumu Active
Diyot Türü Single Phase
teknoloji Standard
Gerilim - Tepe Geriye (Maks) 600V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 1A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.1V @ 1A
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 10µA @ 600V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Tedarikçi Aygıt Paketi DB

ilgili ürünler

Tüm ürünler