Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | 1N829UR-1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Điện áp - Zener (Nôm) (Vz) | 6.2V |
| Lòng khoan dung | ±5% |
| Sức mạnh tối đa | 500mW |
| Trở kháng (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 2µA @ 3V |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | DO-213AA (Glass) |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DO-213AA |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | Chi tiết | |
 |
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | Chi tiết | |
 |
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | Chi tiết | |
 |
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | Chi tiết | |
 |
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | Chi tiết | |
 |
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | Chi tiết | |
 |
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | Chi tiết | |
 |
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | Chi tiết | |
 |
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | Chi tiết | |
 |
1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Chi tiết |
|
1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | Chi tiết |
|
1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | Chi tiết |