Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 1N829UR-1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Gerilim - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
| Hata payı | ±5% |
| Maksimum güç | 500mW |
| Empedans (Maks.) (Zzt) | 15 Ohm |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 2µA @ 3V |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | - |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | DO-213AA (Glass) |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | DO-213AA |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | ayrıntılar | |
 |
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | ayrıntılar | |
 |
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | ayrıntılar | |
 |
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | ayrıntılar | |
 |
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | ayrıntılar | |
 |
1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | ayrıntılar |
|
1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | ayrıntılar |
|
1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | ayrıntılar |