Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IPL65R099C7AUMA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 650V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 2140pF @ 400V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 128W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-VSON-4 |
| Gói / Trường hợp | 4-PowerTSFN |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Chi tiết | |
 |
IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 32143 | Chi tiết |
|
IPL65R190E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | 0 | Chi tiết | |
|
IPL65R210CFDAUMA2 | Infineon Technologies | LOW POWERLEGACY | - | 40366 | Chi tiết |
 |
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON | 0 | Chi tiết |