IPL65R099C7AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON
IPL65R099C7AUMA1 P1
IPL65R099C7AUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPL65R099C7AUMA1

品番
IPL65R099C7AUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 4VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPL65R099C7AUMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 21A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 590µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 45nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2140pF @ 400V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 128W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 99 mOhm @ 5.9A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-VSON-4
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN

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