| номер части | APT150GN60LDQ4G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 220A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 450A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Мощность - макс. | 536W |
| Энергия переключения | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 970nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 44ns/430ns |
| Условия тестирования | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-264-3, TO-264AA |
| Пакет устройств поставщика | TO-264 [L] |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | подробности |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | подробности |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | подробности |
 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | подробности |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | подробности |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | подробности |
 |
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | подробности |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | подробности |
 |
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | подробности |
 |
APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | подробности |
