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| Número de pieza | APT150GN60LDQ4G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 220A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 450A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Potencia - Max | 536W |
| Conmutación de energía | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 970nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 44ns/430ns |
| Condición de prueba | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-264-3, TO-264AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-264 [L] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | Detalles |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | Detalles |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | Detalles |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | Detalles |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | Detalles |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | Detalles |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | Detalles |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | Detalles |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | Detalles |
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APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | Detalles |