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| 品番 | APT150GN60LDQ4G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 220A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 450A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| 電力 - 最大 | 536W |
| スイッチングエネルギー | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 970nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 44ns/430ns |
| テスト条件 | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | 詳細 |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | 詳細 |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | 詳細 |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | 詳細 |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | 詳細 |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | 詳細 |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | 詳細 |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | 詳細 |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | 詳細 |
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APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | 詳細 |