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| Numero di parte | VS-GT400TH120N |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | Trench |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600A |
| Potenza - Max | 2119W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 400A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 28.8nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 8) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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VS-GT100DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 | 0 | Dettagli | |
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VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | - | 1634 | Dettagli |
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VS-GT100DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 184A 577W SOT-227 | 0 | Dettagli | |
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VS-GT100LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | Dettagli | |
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VS-GT100NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | Dettagli | |
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VS-GT100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK | 0 | Dettagli | |
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VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-GT105LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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VS-GT105NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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VS-GT120DA65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | - | 2751 | Dettagli |
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VS-GT140DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 652W SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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VS-GT175DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227 | - | 156 | Dettagli |