VS-GT400TH120N

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
VS-GT400TH120N P1
VS-GT400TH120N P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT400TH120N

Artikelnummer
VS-GT400TH120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer VS-GT400TH120N
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600A
Leistung max 2119W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28.8nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK

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