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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT100TP60N

Numero di parte	VS-GT100TP60N
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	160A
Potenza - Max	417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	7.71nF @ 30V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore	INT-A-PAK

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
VS-GT100DA120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 258A 893W SOT-227		0	Dettagli
VS-GT100DA120UF	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	-	1634	Dettagli
VS-GT100DA60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 184A 577W SOT-227		0	Dettagli
VS-GT100LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227		0	Dettagli
VS-GT100NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227		0	Dettagli
VS-GT100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK		0	Dettagli
VS-GT100TP60N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK	-	0	Dettagli
VS-GT105LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227	-	0	Dettagli
VS-GT105NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227	-	0	Dettagli
VS-GT120DA65U	Vishay Semiconductor Diodes Division	OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG	-	2751	Dettagli
VS-GT140DA60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 652W SOT-227	-	0	Dettagli
VS-GT175DA120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227	-	156	Dettagli