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| Numero di parte | ES1B-E3/61T |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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ES1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 7500 | Dettagli |
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ES1B 10-70C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 10-70DEG C | - | 0 | Dettagli |
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ES1B 115-165C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 115-165DEGC | - | 0 | Dettagli |
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ES1B 140-260C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 140-260DEGC | - | 0 | Dettagli |
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ES1B 60-120C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 60-120DEG C | - | 0 | Dettagli |
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ES1B M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 910425 | Dettagli |
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ES1B R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 732349 | Dettagli |
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ES1B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 0 | Dettagli |
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ES1B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 75000 | Dettagli |
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ES1B-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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ES1B-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 3600 | Dettagli |
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ES1B-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 10000 | Dettagli |