ES1B-13-F

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
ES1B-13-F P1
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ES1B-13-F P4
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Diodes Incorporated ~ ES1B-13-F

Numero di parte
ES1B-13-F
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte ES1B-13-F
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 1A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore SMA
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C

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