Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | ES1B-E3/61T |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Standard |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 100V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 1A |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 920mV @ 1A |
| hız | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 25ns |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapasitans @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | DO-214AC, SMA |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | DO-214AC (SMA) |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -55°C ~ 150°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ES1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 7500 | ayrıntılar |
 |
ES1B 10-70C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 10-70DEG C | - | 0 | ayrıntılar |
|
ES1B 115-165C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 115-165DEGC | - | 0 | ayrıntılar |
|
ES1B 140-260C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 140-260DEGC | - | 0 | ayrıntılar |
|
ES1B 60-120C | Omron Automation and Safety | THERMOSENS IR 12-24V 60-120DEG C | - | 0 | ayrıntılar |
 |
ES1B M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 910425 | ayrıntılar |
|
ES1B R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 732349 | ayrıntılar |
 |
ES1B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 0 | ayrıntılar |
 |
ES1B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 75000 | ayrıntılar |
 |
ES1B-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
ES1B-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 3600 | ayrıntılar |
 |
ES1B-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 10000 | ayrıntılar |