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| Numero di parte | FQU11P06TU |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQU10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQU10N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Dettagli | |
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FQU10N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Dettagli | |
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FQU10N20TU_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Dettagli | |
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FQU11P06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK | - | 1492 | Dettagli |
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FQU12N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A IPAK | - | 5709 | Dettagli |
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FQU13N06LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | - | 3083 | Dettagli |
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FQU13N06LTU-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | - | 59872 | Dettagli |
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FQU13N06LTU_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | - | 7394 | Dettagli |
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FQU13N06TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A IPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQU13N10LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK | - | 1819 | Dettagli |
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FQU13N10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK | 0 | Dettagli |