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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FQU11P06TU |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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FQU10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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FQU10N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQU10N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQU10N20TU_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Einzelheiten | |
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FQU13N06LTU_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | - | 7394 | Einzelheiten |
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FQU13N10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK | 0 | Einzelheiten |