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| Número de pieza | FQU11P06TU |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.4A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQU10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK | - | 0 | Detalles |
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FQU10N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Detalles | |
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FQU10N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Detalles | |
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FQU10N20TU_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK | 0 | Detalles | |
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FQU13N10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK | 0 | Detalles |