SIZ902DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
SIZ902DT-T1-GE3 P1
SIZ902DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ902DT-T1-GE3

Numéro d'article
SIZ902DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SIZ902DT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 15V
Puissance - Max 29W, 66W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PowerPair®

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