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| Numéro d'article | SIZ900DT-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 24A, 28A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 15V |
| Puissance - Max | 48W, 100W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-PowerPair™ |
| Package de périphérique fournisseur | 6-PowerPair™ |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | - | 0 | Détails |
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SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | - | 0 | Détails |
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SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | - | 0 | Détails |