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| Numéro d'article | SISF00DN-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
| Puissance - Max | 69.4W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 | - | 94424 | Détails |