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| Número de pieza | SISF00DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
| Potencia - Max | 69.4W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 | - | 94424 | Detalles |