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| Numéro d'article | BAS21-E3-08 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 200mA (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
| La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-23 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAS20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS20 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 1755335 | Détails |
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BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 12000 | Détails | |
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BAS20,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 0 | Détails | |
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BAS20-7 | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS20-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Détails |
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BAS20-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS20-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS20-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS20-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS20-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Détails |
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BAS20-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | Détails |