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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ BAS21-E3-08

Artikelnummer	BAS21-E3-08
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 200V
Kapazität @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BAS20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GP 200V 200MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS20 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	1755335	Einzelheiten
BAS20,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23		12000	Einzelheiten
BAS20,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23		0	Einzelheiten
BAS20-7	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS20-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GP 150V 200MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS20-E3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-E3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-G3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-G3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-HE3-08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten
BAS20-HE3-18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23	-	0	Einzelheiten