TPN30008NH,LQ

MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
TPN30008NH,LQ P1
TPN30008NH,LQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPN30008NH,LQ

Numéro d'article
TPN30008NH,LQ
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TPN30008NH,LQ PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TPN30008NH,LQ
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4.8A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas 8-PowerVDFN

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