TPN30008NH,LQ

MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
TPN30008NH,LQ P1
TPN30008NH,LQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPN30008NH,LQ

品番
TPN30008NH,LQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TPN30008NH,LQ PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TPN30008NH,LQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 920pF @ 40V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta), 27W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 30 mOhm @ 4.8A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN

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