TK20V60W,LVQ

MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
TK20V60W,LVQ P1
TK20V60W,LVQ P2
TK20V60W,LVQ P1
TK20V60W,LVQ P2
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK20V60W,LVQ

Numéro d'article
TK20V60W,LVQ
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TK20V60W,LVQ PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article TK20V60W,LVQ
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (8x8)
Paquet / cas 4-VSFN Exposed Pad

Produits connexes

Tous les produits