TK20P04M1,RQ(S

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
TK20P04M1,RQ(S P1
TK20P04M1,RQ(S P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK20P04M1,RQ(S

Numéro d'article
TK20P04M1,RQ(S
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TK20P04M1,RQ(S PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TK20P04M1,RQ(S
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 985pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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