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| Numéro d'article | GT10G131(TE12L,Q) |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | - |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 400V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4V, 200A |
| Puissance - Max | 1W |
| Échange d'énergie | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 3.1µs/2µs |
| Condition de test | - |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 400V 1W 8-SOIC | 0 | Détails |