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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | GT10G131(TE12L,Q) |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 400V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 200A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 4V, 200A |
| Leistung max | 1W |
| Energie wechseln | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 3.1µs/2µs |
| Testbedingung | - |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 400V 1W 8-SOIC | 0 | Einzelheiten |