CSD23203W

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
CSD23203W P1
CSD23203W P1
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Texas Instruments ~ CSD23203W

Numéro d'article
CSD23203W
Fabricant
Texas Instruments
La description
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article CSD23203W
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 4V
Vgs (Max) -6V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-DSBGA
Paquet / cas 6-UFBGA, DSBGA

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