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BOM

CSD23203W

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › CSD23203W
CSD23203W P1
CSD23203W P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Texas Instruments ~ CSD23203W

品番
CSD23203W
メーカー
Texas Instruments
説明
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- CSD23203W PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 CSD23203W
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 8V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 6.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 914pF @ 4V
Vgs（最大） -6V
FET機能 -
消費電力（最大） 750mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-DSBGA
パッケージ/ケース 6-UFBGA, DSBGA

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