RDX045N60FU6

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
RDX045N60FU6 P1
RDX045N60FU6 P2
RDX045N60FU6 P1
RDX045N60FU6 P2
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Rohm Semiconductor ~ RDX045N60FU6

Numéro d'article
RDX045N60FU6
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
RDX045N60FU6.pdf RDX045N60FU6 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article RDX045N60FU6
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2.25A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220FM
Paquet / cas TO-220-2 Full Pack

Produits connexes

Tous les produits