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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RDX045N60FU6 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 35W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FM |
| Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RDX045N60FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM | 0 | Einzelheiten | |
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RDX050N50FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FM | 0 | Einzelheiten | |
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RDX060N60FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM | 0 | Einzelheiten | |
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RDX080N50FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220FM | 804 | Einzelheiten |