RDN100N20

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
RDN100N20 P1
RDN100N20 P2
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Rohm Semiconductor ~ RDN100N20

Numéro d'article
RDN100N20
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RDN100N20
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220FN
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack

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