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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RDN100N20 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 35W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FN |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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RDN050N20FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN | 0 | Einzelheiten | |
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RDN080N25FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN | 0 | Einzelheiten | |
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RDN100N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN | 0 | Einzelheiten | |
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RDN100N20FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN | 22 | Einzelheiten | |
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RDN120N25 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN | 0 | Einzelheiten | |
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RDN120N25FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN | 0 | Einzelheiten | |
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RDN150N20FU6 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN | 0 | Einzelheiten |