RCD060N25TL

MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
RCD060N25TL P1
RCD060N25TL P1
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Rohm Semiconductor ~ RCD060N25TL

Numéro d'article
RCD060N25TL
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RCD060N25TL
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur CPT3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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