RCD060N25TL

MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
RCD060N25TL P1
RCD060N25TL P1
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Rohm Semiconductor ~ RCD060N25TL

品番
RCD060N25TL
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
RCD060N25TL.pdf RCD060N25TL PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 RCD060N25TL
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 840pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 530 mOhm @ 3A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ CPT3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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