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| Numéro d'article | R6076ENZ1C9 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 44.4A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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R6076ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 | 141 | Détails | |
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R6076MNZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 | - | 4192 | Détails |