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| Numero di parte | R6076ENZ1C9 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 44.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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R6076ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 | 141 | Dettagli | |
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R6076MNZ1C9 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247 | - | 4192 | Dettagli |