R6011ENJTL

MOSFET N-CH 600V 11A LPT
R6011ENJTL P1
R6011ENJTL P1
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Rohm Semiconductor ~ R6011ENJTL

Numéro d'article
R6011ENJTL
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 600V 11A LPT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article R6011ENJTL
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LPTS (D2PAK)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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