R6011ENJTL

MOSFET N-CH 600V 11A LPT
R6011ENJTL P1
R6011ENJTL P1
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Rohm Semiconductor ~ R6011ENJTL

Número de pieza
R6011ENJTL
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 11A LPT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza R6011ENJTL
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 3.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor LPTS (D2PAK)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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